Samsung is zoals verwacht de eerste chipfabrikant die volumeproductie op de 3 nm-node start. Het bedrijf maakt daarmee ineens de overstap naar GAA.
Samsung begint de volumeproductie van microchips op zijn 3 nm-node. Zo kaapt het Koreaanse bedrijf zoals verwacht een wereldprimeur weg van TSMC. Het 3 nm-proces zorgt ervoor dat Samsung chips met kleinere componenten kan bouwen. Dat maakt de microtransistors op hun beurt kleiner, waardoor die minder energie verbruiken en minder snel warm worden. De 3 nm-node laat zo efficiëntere en compactere microchips toe dan de vorige generaties.
Van FinFET naar GAA
Nodes worden wel erg klein, en dat brengt uitdagingen met zich mee. Zo koos Samsung voor een volledig nieuw nanosheet-transistordesign om de kleine schaal de accommoderen. Industriestandaard FinFET wordt daarvoor vervangen door Gate All Around (GAA): een design dat alle fabrikanten vroeg of laat zullen omarmen.
lees ook
Wat je moet weten over processors en nanometers
Samsung zelf verwacht dat de 3 nm-node met het GAA nanosheet-transistordesign de stroomconsumptie van nieuwe chips met 45 procent naar omlaag zal halen. Prestaties zullen met 23 procent klimmen en de dichtheid stijgt met 16 procent, telkens vergeleken met chips gebakken om het 5 nm-proces. Voor een volgende generatie van 3 nm plant Samsung die cijfers nog op te krikken.
Open vragen
Er blijven nog enkele belangrijke open vragen. Zo noemt Samsung geen lanceringsklanten voor de nieuwe node. Naar alle waarschijnlijkheid zal de fabrikant zijn eigen smartphonechips voor een stuk op 3 nm bakken, maar over grote namen zoals Nvidia of AMD spreken de Koreanen niet. Samsung geeft ook geen yield-cijfers. Dat is niet onverwachts, maar er circuleren wel geruchten dat het proces niet zo efficiënt zou zijn. Daarop biedt Samsung met deze lancering geen antwoord.