AI-datacenters, smartphones en andere systemen hebben steeds meer geheugen nodig, met een stijgend energieverbruik als gevolg. De NAND-technologie komt dus op het juiste moment.
Samsung heeft een nieuwe generatie NAND-flash ontwikkeld die tot 96 procent minder stroom verbruikt dan huidige generatie opslagchips. Dat blijkt uit een onderzoekspaper van Samsung-onderzoekers die WCCF TECH kon inkijken.
Transistoren maken het verschil
De nieuwe opslagtechnologie maakt gebruik van ferro-elektrische transistoren in plaats van oxide-halfgeleiders die vandaag gebruikt worden. Die waren eerst ongeschikt voor krachtige chips door hun hoge drempelspanning, maar net dat nadeel bleek een voordeel.
Door stromen onder die drempelspanning te blokkeren, kunnen lekstromen beter worden gecontroleerd. Dat is nodig bij NAND-opslag, want de cellen staan in serie geschakeld en elke extra laag of capaciteit leidt normaal tot meer verliezen en een hoger stroomverbruik. Het nieuwe ontwerp beperkt dat.
Tot 96 procent minder verbruik
Volgens de onderzoekers kan deze aanpak het verbruik van NAND-flash met bijna 96 procent verminderen tijdens lees- en schrijfbewerkingen. Hoe meer lagen een chip heeft, hoe groter de winst. Het onderzoek vermeldt echter nog geen tijdlijn voor particulieren, enkel bedrijven kunnen er binnenkort al mee aan de slag. Wanneer Samsung de technologie in massaproductie kan krijgen, zou de besparing effect hebben op datacenters tot smartphones en wearables.