Samsung start met de productie op grote schaal van DDR5 RAM gebakken op een 14 nm EUV-productielijn. Prestaties verdubbelen ten opzichte van DDR4.
Samsung produceert DDR5-geheugen met Extreme UV-technologie op 14 nm. Dat laat de fabrikant zelf weten. De integratie van EUV in het 14 nm-productieproces zorgt voor een hogere dichtheid van transistors op de geheugenchip, met meer efficiëntie tot gevolg. Samsung claimt dat het proces het meest geavanceerde op de markt is vandaag. De opbrengst van individuele wafers gaat er bovendien met 20 procent op vooruit.
Dubbel zo snel
Het DDR5-geheugen krijgt een maximale snelheid van 7,2 Gbps, wat meer dan dubbel zo snel is dan de 3,2 Gbps die DDR4 biedt. Samsung richt zich met de productie in eerste instantie op professionele workloads in datacenters en HPC-omgevingen. De focus ligt op AI en 5G. Op termijn zal DDR5 evolueren naar de nieuwe norm, ter vervanging van DDR4 vandaag. De geheugenstandaard zal doorsijpelen naar workstations en pc’s.
Samsung ziet de 14 nm EUV-node als een tussenstap op weg naar een 10 nm-productienode voor zijn geheugen. De integratie van EUV is een belangrijke stap in die richting. In maart van 2020 kondigde Samsung de EUV-plannen voor DRAM al aan maar het duurde nog anderhalf jaar voor de chipbouwer de productieband op kruissnelheid kreeg.