Samsung heeft zijn zesde generatie V-NAND-geheugen, dat uit meer dan 100 lagen bestaat, in productie genomen. De nieuwe generatie geheugenchips zal in eerste instantie zorgen voor prestatie- en energiewinsten in enterprise-SSD’s.
Samsung heeft een nieuwe 250 GB SATA-SSD in massaproductie genomen, die wordt geleverd aan OEM’s wereldwijd. De SSD maakt gebruik van Samsungs 256Gb 3-bit V-NAND-geheugen (ook bekend als 3D-NAND) van de zesde generatie, dat meer dan 100 lagen (1xx) telt.
Dankzij een nieuwe etstechnologie (channel hole etching) is Samsung erin geslaagd 136 lagen op elkaar te stapelen en zo ongeveer 40 procent meer geheugencellen toe te voegen in vergelijking met de vorige generatie V-NAND (9x). Dat vertaalt zich in sneller en zuiniger geheugen. Samsung adverteert een prestatiewinst van 10 procent en 15 procent lager energieverbruik.
Naarmate meer lagen worden toegevoegd, wordt het geheugen gevoeliger voor fouten en latency. Om die beperkingen te overwinnen, heeft Samsung het circuitontwerp geoptimaliseerd voor een snellere datadoorvoer. Schrijfbewerkingen worden in minder dan 450 microseconden uitgevoerd, leesbewerkingen in minder dan 45 microseconden.
300 lagen
Dankzij het geoptimaliseerde ontwerp, kan Samsung V-NAND-oplossingen met meer dan 300 lagen aanbieden, door drie van de 1xx-stacks op elkaar te stapelen. Aanvullend is het aantal channel holes verminderd, waardoor de chips kleiner worden en het productieproces wordt vereenvoudigd. Dat vertaalt zich volgens de Zuid-Koreaanse fabrikant in een productiviteitswinst van 20 procent.
Samsung verwacht al in de tweede helft van dit jaar te starten met de productie van een 512Gb 3-bit V-NAND SSD en eUFS-geheugen. Op termijn kijkt het bedrijf naast mobiele apparaten en enterprise-servers, ook naar productie voor de automotive-markt.
Gerelateerd: Hoe Samsung de grootste chipfabrikant ter wereld wil worden