Samsung heeft laten weten dat het een tussenstap plant richting 7 nm met een 8 nm-node. De focus ligt op hogere kloksnelheden en meer transistors, of een lager energieverbruik. Verder laat Samsung weten dat het beperkte 7 nm EUV-chips bakt voor zichzelf en selectieve partners.
Samsung heeft een update gedeeld van zijn chipproductieroadmap over 2018, 2019 en uiteindelijk 2020. Vandaag zijn er nog maar drie bedrijven die in de spits van de chipfabricagetechnologie zitten: Intel, TSMC en Samsung. GlobalFoundries heeft recent afgehaakt in de verkleiningsrace. Een uitgebreide analyse van de huidige stand van zaken kan je hier lezen. Vandaag kondigt Samsung een node-verkleining aan naar 8 nm en bevestigt het de positieve evolutie van EUV.
Privé EUV
Samsung wil de 8 nm-node draaien op zijn huidige 10 nm-technologie volgens Extremetech. De node krijgt de codenaam 8LPU (Low Power Ultimate) en focust op chips die een hogere kloksnelheid en hogere transistordensiteit willen. Samsung verwacht een verbetering van 10 procent qua bruikbare oppervlakte of 10 procent verbetering in energieverbruik. 8LPU wordt aangeboden aan klanten die iets extra willen bovenop het huidige 10 nm-aanbod, maar geen toegang hebben tot het 7 nm-aanbod.
Samsung werkt zelf ook koortsig verder aan zijn 7 nm EUV-aanbod. Het is vandaag al bezig met pilootprojecten voor eigen gebruik. De technologie wordt nog niet beschikbaar gesteld aan andere klanten, omdat de huidige EUV-productie eerder beperkt is. Het proces wordt enkel gebruikt voor Samsung zelf en de nieuwe Qualcomm Snapdragon 5G SoC (System-on-Chip). Mogelijk zou het om exclusieve chips gaan voor de Samsung Galaxy S10 door de beperkte EUV-output, maar dat is pure speculatie op dit ogenblik.
FinFET naar GAA
EUV wordt wel dominanter in de nabije toekomst. Samsung plant een aparte EUV-fabriekslijn, maar die is pas in 2019 klaar met massaproductie vanaf 2020. Ondanks de gestage uitrol van EUV plant Samsung in 2019 al testen met nieuwe 5 nm- en 4 nm-nodes met EUV. De 5 nm-node zou een verdere evolutie zijn van de net aangekondigde 8 nm-node, terwijl 4 nm effectief EUV is en voortborduurt op de 7 nm-node. Beide processen zullen FinFET gebruiken.
Lees dit: Hoe EUV-lithografie een stoelendans in processorland veroorzaakt
Vanaf 2020 schakelt Samsung over van FinFET naar Gate-All-Around (GAA) en wil het de stap naar EUV 3 nm-nodes zetten in risicoproductie. Dat is heel ambitieus, want op een eerdere roadmap stond deze stap pas gepland voor 2021. Heeft Samsung een doorbraak gevonden wat betreft EUV? Of proberen ze de concurrentie wat zand in de ogen te strooien?
TSMC wil in 2019 starten met een beperkte risicoproductie van hun 7 nm-node op EUV, terwijl Intel pas in 2021 met EUV aan de slag wil gaan. Wil je meer over EUV weten? Lees dan ons uitgebreid rapport daarover.